Semiconductores
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Núcleos Huecos Estriados HR
Ferritas

Núcleos Sólidos Estriados MR
Ferritas

Núcleos Huecos HL
Ferritas

Capacitores de olla de potencia RF refrigerados por agua y capacidades personalizadas
Capacitores
• Producción en Alemania
• Alta calidad, servicio y flexibilidad
• Certificación ISO 9001, OHSAS 18001, ambiental 14001…

Impedidores de Flujo
Impedidores
Los impedimentos de flujo continuo son el tipo de impedimento más comúnmente utilizado.

Tiristor (SCR) y de diodo rectificador
Crs y Diodos
Somos fabricante especial y el exportador de varias clases de tiristor, tales como tiristores del control de fase de KP, Rápido-Da vuelta-apagado al tiristor, tiristor de alta frecuencia, tiristores de la rotación.

UnitedSiC UJ4C 750V Gen 4 SiC FETs
Semiconductores
Los FET UnitedSiC UJ4C 750V Gen 4 SiC (carburo de silicio) se basan en una configuración de circuito cascodo única, en la que un SiC JFET normalmente encendido se empaqueta junto con …

Núcleos Huecos Estriados HR
Ferritas
Especificaciones Initial permeability (ui): 1800+/- 25% at 23ºC
Core loss: <10000 kW/m3 (f=400 KHz, B=200 mT at 100ºC)
Density: 4.8 Mg m3 +/- 2%
Curie Temperature,Tc: >210ºC
Saturation Magnetic Flux Density, Bs: 500 mT +/- 10% (H=1200 A/m at 23ºC)
Resistivity, nominal: 3 ohms.m |
mm 06 x 2,0 x 200 07 x 2,0 x 200 08 x 3,0 x 200 09 x 3,0 x 200 10 x 3,0 x 200 11 x 3,0 x 200 12 x 3,0 x 200 13 x 5,0 x 200 14 x 5,0 x 200 15 x 5,0 x 200 16 x 5,0 x 200 17 x 5,0 x 200 18 x 5,0 x 200 19 x 6,0 x 200 20 x 6,0 x 200 21 x 6,0 x 200 22 x 6,0 x 200 23 x 6,0 x 200 24 x 6,0 x 200 25 x 10 x 200 26 x 13 x 200 28 x 14 x 200 29 x 14 x 200 |
mm 30 x 15 x 200 31 x 15 x 200 32 x 15 x 200 33 x 15 x 200 34 x 15 x 200 35 x 15 x 200 36 x 15 x 200 37 x 15 x 200 38 x 15 x 200 39 x 15 x 200 40 x 20 x 200 42 x 20 x 200 44 x 20 x 200 46 x 20 x 200 48 x 20 x 200 50 x 20 x 200 55 x 20 x 200 58 x 27 x 200 60 x 30 x 200 65 x 30 x 200 73 x 35 x 200 80 x 35 x 200 |

Núcleos Sólidos Estriados MR
Ferritas
Especificaciones: Initial permeability (ui): 1800+/- 25% at 23ºC
Core loss: <10000 kW/m3 (f=400 KHz, B=200 mT at 100ºC)
Density: 4.8 Mg m3 +/- 2%
Curie Temperature,Tc: >210ºC
Saturation Magnetic Flux Density, Bs: 500 mT +/- 10% (H=1200 A/m at 23ºC)
Resistivity, nominal: 3 ohms.m |
mm 05 x 200 06 x 200 07 x 200 08 x 200 09 x 200 10 x 200 11 x 200 12 x 200 13 x 200 14 x 200 15 x 200 16 x 200 17 x 200 18 x 200 19 x 200 20 x 200 |
mm 21 x 200 22 x 200 23 x 200 24 x 200 25 x 200 26 x 200 27 x 200 28 x 200 29 x 200 30 x 200 32 x 200 34 x 200 36 x 200 38 x 200 40 x 200 |

Núcleos Huecos HL
Ferritas
Especificaciones: Initial permeability (ui): 1800+/- 25% at 23ºC
Core loss: <10000 kW/m3 (f=400 KHz, B=200 mT at 100ºC)
Density: 4.8 Mg m3 +/- 2%
Curie Temperature,Tc: >210ºC
Saturation Magnetic Flux Density, Bs: 500 mT +/- 10% (H=1200 A/m at 23ºC)
Resistivity, nominal: 3 ohms.m |
mm 06 x 3,0 x 200 07 x 3,0 x 200 08 x 3,0 x 200 09 x 3,0 x 200 10 x 3,0 x 200 11 x 3,0 x 200 12 x 3,0 x 200 13 x 5,0 x 200 14 x 5,0 x 200 15 x 5,0 x 200
|
mm 16 x 5,0 x 200 17 x 5,0 x 200 18 x 5,0 x 200 19 x 6,0 x 200 20 x 6,0 x 200 22 x 6,0 x 200 24 x 6,0 x 200 26 x 13 x 200 28 x 14 x 200 30 x 15 x 200 |

Capacitores de olla de potencia RF refrigerados por agua y capacidades personalizadas
Capacitores
• Producción en Alemania
• Alta calidad, servicio y flexibilidad
• Certificación ISO 9001, OHSAS 18001, ambiental 14001…
Especificaciones: Initial permeability (ui): 1800+/- 25% at 23ºC
Core loss: <10000 kW/m3 (f=400 KHz, B=200 mT at 100ºC)
Density: 4.8 Mg m3 +/- 2%
Curie Temperature,Tc: >210ºC
Saturation Magnetic Flux Density, Bs: 500 mT +/- 10% (H=1200 A/m at 23ºC)
Resistivity, nominal: 3 ohms.m |
mm 06 x 3,0 x 200 07 x 3,0 x 200 08 x 3,0 x 200 09 x 3,0 x 200 10 x 3,0 x 200 11 x 3,0 x 200 12 x 3,0 x 200 13 x 5,0 x 200 14 x 5,0 x 200 15 x 5,0 x 200
|
mm 16 x 5,0 x 200 17 x 5,0 x 200 18 x 5,0 x 200 19 x 6,0 x 200 20 x 6,0 x 200 22 x 6,0 x 200 24 x 6,0 x 200 26 x 13 x 200 28 x 14 x 200 30 x 15 x 200 |

Impedidores de Flujo
Impedidores
Los impedimentos de flujo continuo son el tipo de impedimento más comúnmente utilizado. También son los menos costosos. Todos los impedimentos EHE utilizan ferrita estriada de alto rendimiento para garantizar bajas pérdidas por corrientes parásitas y maximizar la eficiencia de enfriamiento. Los impulsores normalmente se suministran con accesorios abocardados SAE. Los accesorios de tubería ISO métricos, NPT y BSP y los acoplamientos de conexión rápida están disponibles a un pequeño costo adicional. Las tuercas abocardadas normalmente no se suministran con impedimentos, ya que pueden reutilizarse muchas veces.
Están disponibles en paquetes de 10, 25 y 100 de nuestra parte, o en la mayoría de los puntos de venta de hardware y suministros industriales. Los impeders estándar tienen carcasas exteriores que encierran y protegen completamente la ferrita. Los impedimentos de ferrita expuestos se utilizan cuando la espuma de soldadura o los recubrimientos como el aluminio o el zinc tienden a acumularse en los impedimentos convencionales y acortan su vida útil. Los impedimentos de ferrita expuestos a menudo permiten utilizar un impedimento más grande, ya que no hay carcasa en la parte más estrecha del tubo.
Estos impedimentos también funcionan bien en instalaciones refrigeradas por aire o gas. El flujo laminar de refrigerante sobre la ferrita expuesta hace que estos impedimentos se limpien automáticamente y, por lo tanto, sean altamente resistentes a los daños causados por la espuma de soldadura.
TIPOS DE CARCASAS
Epoxi / vidrio: el grado NEMA G-11/12 es un compuesto de resina epoxi reforzada con fibra de vidrio de alta resistencia y alta temperatura que exhibe excelentes propiedades de desgaste y una vida útil prolongada a temperaturas elevadas. Es ampliamente utilizado y es el tipo de carcasa menos costoso para la mayoría de tamaños de impeder.
El vidrio epoxi G-11/12 de EHE resistirá temperaturas 100 ° más altas que el material G-10 más común.
Silglass ™ – NEMA grado G-7 es un material de fibra de vidrio unida con resina de silicona de temperatura ultra alta que se utiliza principalmente para impedimentos de flujo de retorno. Tiene características de desgaste deficientes y los impedimentos deben protegerse del contacto con la banda en movimiento. Silglass ™ es inorgánico, por lo que no se carboniza cuando se expone a temperaturas excesivas. Esto reduce la cantidad de calor radiante absorbido por el impeder del área de soldadura. Ferroglass ™ es un tubo de fibra de vidrio impregnado de ferrita de alta temperatura fabricado específicamente para uso impelente.
La ferrita adicional presente en la carcasa puede aumentar las velocidades de soldadura hasta en un 40%. Esta eficiencia mejorada es más notable en diámetros pequeños donde la carcasa de Ferroglass ™ aporta un porcentaje más alto de la ferrita total en el impeder. Ferroglass ™ también tiene la mejor resistencia al desgaste de todos los materiales que se utilizan normalmente en los impedimentos.
REQUISITOS DE REFRIGERACIÓN:
El refrigerante debe estar limpio, preferiblemente filtrado. Una presión de 3 bar (45 PSI) garantizará un enfriamiento adecuado en la mayoría de las condiciones de funcionamiento. Los requisitos de flujo de refrigerante varían ampliamente debido a la temperatura de entrada, la potencia de soldadura, la frecuencia y la geometría del área de soldadura.
En situaciones de alta densidad de potencia y a altas temperaturas ambiente, un pequeño enfriador de refrigeración para refrigerante de bobina de trabajo e impeder puede mejorar enormemente la eficiencia. No se recomienda el enfriamiento por aire u otro gas, pero puede ser útil en situaciones especiales donde no se puede tolerar la presencia de agua dentro del tubo.
Los gases como el nitrógeno tienen una densidad que es al menos 1000 veces menor que la del agua, por lo que el volumen de refrigerante debe aumentarse en consecuencia. Un impeder que se pueda enfriar usando 1/2 galón de agua por minuto requeriría un mínimo de 15 pies cúbicos por minuto de nitrógeno. El costo de esto es prohibitivo en la mayoría de los casos.



Tiristor (SCR) y de diodo rectificador
Crs y Diodos
Somos fabricante especial y el exportador de varias clases de tiristor, tales como tiristores del control de fase de KP, Rápido-Da vuelta-apagado al tiristor, tiristor de alta frecuencia, tiristores de la rotación.
El modelo principal incluye el siguiente:
1) Tachonar el tipo thyristers del control de fase o rectificador del control del silicio (SCR), 5A~500A, 100V~5000V, caja hermética del metal con el aislador de cerámica y sello glass-metal hermético seleccionable.
2) Tipo rectificador del control del tiristor del disco o del silicio del control de fase (SCR), 5A ~ 5000A, 100V ~ 5000V, caja hermética del metal con el aislador de cerámica.
3) Tipo rotatorio rectificador del control del tiristor o del silicio del control de fase (SCR), 300A ~ 500A, 600V ~ 2000V.
Características
IV (SISTEMA DE PESOS AMERICANO) =5-5000A
V DRM/V RRM=100-5000V
Caja hermética del metal con el aislador de cerámica
Sello glass-metal hermético
Ajustarse al estándar nacional GB4940-1985
De acuerdo con estándar eléctrico internacional del comité del IEC
Usos típicos
Controles de motor de la C.C.
Fuentes de corriente continua Controladas
Interruptor de la CA y control termal
Excitación del motor síncrono
Nuestro tipo del perno prisionero y de la cápsula o del disco de diodos de rectificador y de tiristores está disfrutando de demanda muy enérgica en la India (DO4, DO5, DO8, DO9) Rusia (T161), Corea y Polonia etc.

UnitedSiC UJ4C 750V Gen 4 SiC FETs
Semiconductores
Los FET UnitedSiC UJ4C 750V Gen 4 SiC (carburo de silicio) se basan en una configuración de circuito cascodo única, en la que un SiC JFET normalmente encendido se empaqueta junto con un Si FET para producir un dispositivo SiC FET normalmente apagado. Los FET UJ4C 750V Gen 4 SiC están diseñados para acelerar las ganancias de rendimiento de energía en carga automotriz e industrial, rectificadores de telecomunicaciones, conversión de CC-CC de PFC de centro de datos, así como aplicaciones de energía renovable y almacenamiento de energía.
Disponibles en opciones de 18 mΩ y 60 mΩ, estos nuevos FET de SiC ofrecen las mejores figuras de mérito (FoM) de su clase con una resistencia de encendido reducida por unidad de área y una capacitancia intrínseca baja. En aplicaciones de conmutación dura, los FET Gen 4 exhiben un RDS (encendido) x EOSS ultra bajo, lo que resulta en una menor pérdida de encendido y apagado.
Las características estándar de accionamiento de puerta de los FET UJ4C 750V permiten la funcionalidad de “reemplazo directo”. Los diseñadores pueden mejorar significativamente el rendimiento del sistema sin la necesidad de cambiar el voltaje de accionamiento de la puerta, reemplazando los IGBT de Si, los FET de Si, los FET de SiC o los dispositivos de superunión de Si con los FET de UnitedSiC UJ4C.
Los FET UnitedSiC UJ4C 750V Gen 4 SiC se ofrecen en un paquete TO247-3L de tres derivaciones (UJ4C075060K3S) y un paquete TO-247-4 de cuatro derivaciones con una conexión Kelvin Gate. El diseño de fuente Kelvin del paquete TO-247-4 reduce significativamente las pérdidas de conmutación y el timbre de la puerta.
Características
Clasificación VDS de 750 V
RDS bajo (activado) de 18 mΩ a 60 mΩ
Las cifras clave del mérito permiten diseños de energía de alto rendimiento de próxima generación
El mejor RDS de su clase (activado) x Área
Mejorar las pérdidas de Qrr y Eon / Eoff en un RDS determinado (activado)
Reduce tanto Coss (er) / Eoss como Coss (tr)
Se puede conducir de forma segura con un voltaje de accionamiento de puerta estándar de 0 V a 12 V o 15 V
Excelente margen de ruido de umbral mantenido con voltaje de umbral real de 5 V
Funciona con todos los voltajes de accionamiento Si IGBT, Si FET y SiC FET
Excelente recuperación inversa
Excelente rendimiento del diodo corporal (Vf <2V)
Carga de puerta baja
Con protección ESD, HBM clase 2
Paquetes TO247-3L y TO247-4L (Kelvin)
AEC-Q101 calificado
Aplicaciones
Inversores fotovoltaicos
Carga de vehículos eléctricos
Fuentes de alimentación de modo conmutado
Módulos de corrección del factor de potencia
Accionamientos de motor
Calentamiento por inducción
Tabla de Especificaciones

